FinFET,GAA,OSAT 등 반도체 주식 용어 알아보기

FinFET, GAA, OSAT 등은 반도체 주식 투자자들이 자주 접할 수 있는 용어들입니다. 반도체 주식 용어에 대해서 알아보시는 분은 밑에 내용을 확인해 보시기 바랍니다.

 

 

Planar FET

트랜지스터는 반도체의 기본 구성 요소로, Gate라 불리는 부분에 전압을 부여하면 Source와 Drain 사이에 전류가 흐르게 됩니다. 이 때 Gate의 전압 레벨에 따라 전류의 흐름을 on/off로 제어할 수 있습니다. 이러한 구조를 가진 트랜지스터를 Planar FET이라 부릅니다.

 

 

FinFET

Planar FET의 후속으로, 집적도가 증가하면서 Source와 Drain 사이의 거리가 줄어들면서 off 상태에서의 누설 전류가 증가하게 되었습니다. 이를 보완하기 위해 3D FinFET구조가 도입되었는데, 이는 채널의 형태가 상어 지느러미와 유사해 'Fin'이라는 이름이 붙었습니다. Planar 구조는 한 면만 채널을 제어하지만, FinFET은 채널을 둘러싸는 형태로 3면을 제어할 수 있어 전류 흐름 제어 성능이 향상되었습니다.

 

GAA(Gate All Around)

FinFET 기술도 집적도가 계속 증가하면서 한계에 이르렀고, 트랜지스터 크기가 작아지면서 Fin과 Fin 사이의 거리가 좁아지면서 공정상 어려움이 발생했습니다. 이를 극복하기 위해 Gate-All-Around 개념이 도입되었습니다. GAA는 채널을 완전히 둘러싸 4면을 통해 제어할 수 있어 전류 제어 특성이 더욱 향상되었습니다.

 

OSAT(Outsourced Semiconductor Assembly and Test)

반도체 제작 과정을 크게 반도체 설계 및 웨이퍼에 다이 형태로 제작하는 전공정과 패키징 및 테스트를 진행하는 후공정으로 나눌 수 있습니다. OSAT는 이 후공정을 수행하는 수탁 기업을 가리킵니다. 최근에 공정이 미세화되면서 OSAT 기업들의 중요성이 높아지고 있습니다.

HTOL(High Temperature Operating Life) 및 LTOL(Low Temperature Operating Life)

제품의 신뢰성 평가 과정 중 하나로, 제품이 특정 환경에서 얼마나 오래 사용될 수 있는지 평가하는 과정입니다. HTOL은 고온에서 일정시간 동안 제품이 고장 없이 정상적으로 작동하는지 테스트하며, LTOL은 저온에서의 동작 수명을 테스트합니다.

 

ESD(Electro Static Discharge)

정전기를 발생시키는 물체에서 정전기가 방출되는 현상을 ESD라고 합니다. 반도체 테스트에서는 정전기 방지 대책을 신뢰성 테스트의 일부로 진행하며, 정전기 발생 반도체 칩 내부 회로가 보호되며 정상 동작에 문제가 없는지 테스트합니다.

 

RMA(Return Material Analysis)

제품 테스트 과정에서 문제 발생 시 이에 대한 원인을 분석하는 과정을 말합니다. 원인에 따라 비파괴 검사와 파괴 검사 등 다양한 분석을 통해 원인을 찾아내고, 제품의 취약 부분에 대한 정보를 제공합니다.

 

SI(Signal Integrity) Simulation

신호 품질을 보장하기 위해 시뮬레이션을 진행하는 과정으로, 고속 디지털 설계, 특히 PCB설계에서 신뢰성 있는 고속 데이터 전송을 위해 필요합니다. 신호선이집된 공간에서 깨끗한 신호를 얻는 것은 고속 전송을 위한 필수적인 요소입니다.